PSMN2R0-25YLDX
IC
LFPAK56(PowerSO-8)
可供量大可议
PSMN2R0-25YLDX
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强模式 MOSFET， 采用 LFPAK56 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “肖特基增强” 技术， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类似肖特基二极管的 MOSFET 相关， 但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌
Nexperia
封装
LFPAK56(PowerSO-8)
库存
19
货期
现货
PSMN2R0-25YLDX参数
| 封装 | LFPAK56(PowerSO-8) |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
PSMN2R0-25YLDX概述
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强模式 MOSFET， 采用 LFPAK56 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “肖特基增强” 技术， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类似肖特基二极管的 MOSFET 相关， 但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
PSMN2R0-25YLDX特性
暂无产品特性。
PSMN2R0-25YLDX应用领域
暂无应用领域。