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PSMN2R0-25MLDX
IC

SOT-1210

可供量大可议

PSMN2R0-25MLDX

逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET, 采用 LFPAK33 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术, 可实现高效率、低尖峰性能, 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关, 但不会出现有问题的高泄漏电流。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。

品牌

Nexperia

封装

SOT-1210

库存

68

货期

现货

PSMN2R0-25MLDX参数

封装SOT-1210
品牌Nexperia(安世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存68

PSMN2R0-25MLDX概述

逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET, 采用 LFPAK33 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术, 可实现高效率、低尖峰性能, 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关, 但不会出现有问题的高泄漏电流。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。

PSMN2R0-25MLDX特性

暂无产品特性。

PSMN2R0-25MLDX应用领域

暂无应用领域。

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