PSMN2R0-25MLDX
IC
SOT-1210
可供量大可议
PSMN2R0-25MLDX
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET, 采用 LFPAK33 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术, 可实现高效率、低尖峰性能, 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关, 但不会出现有问题的高泄漏电流。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌
Nexperia
封装
SOT-1210
库存
68
货期
现货
PSMN2R0-25MLDX参数
| 封装 | SOT-1210 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 68 |
PSMN2R0-25MLDX概述
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET, 采用 LFPAK33 封装。 NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术, 可实现高效率、低尖峰性能, 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关, 但不会出现有问题的高泄漏电流。 NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
PSMN2R0-25MLDX特性
暂无产品特性。
PSMN2R0-25MLDX应用领域
暂无应用领域。
