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PSMN1R8-40YLC-VB
IC

LFPAK56

可供量大可议

PSMN1R8-40YLC-VB

台积电流片, 长电科技封装; LFPAK56; N—Channel沟道; 40V; 150A; RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用SGT技术

Brand

VBsemi

Package

LFPAK56

Stock

15

货期

现货

PSMN1R8-40YLC-VBParameters

封装LFPAK56
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存15

PSMN1R8-40YLC-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; LFPAK56; N—Channel沟道; 40V; 150A; RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用SGT技术

PSMN1R8-40YLC-VB特性

暂无产品特性。

PSMN1R8-40YLC-VB应用领域

暂无应用领域。

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