PSMN1R5-40PS-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
PSMN1R5-40PS-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N型MOSFET， 采用Trench工艺， 具有优异的性能和稳定性。 适用于高功率电子设备的散热要求。 TO220； N—Channel沟道, 40V； 180A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
20
货期
现货
PSMN1R5-40PS-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PSMN1R5-40PS-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N型MOSFET， 采用Trench工艺， 具有优异的性能和稳定性。 适用于高功率电子设备的散热要求。 TO220； N—Channel沟道, 40V； 180A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
PSMN1R5-40PS-VB特性
暂无产品特性。
PSMN1R5-40PS-VB应用领域
暂无应用领域。