PSMN1R5-25MLHX
IC
SOT-1210
可供量大可议
PSMN1R5-25MLHX
逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET， 采用LFPAK33封装。 NextPowerS3技术可实现低导通电阻（RDS(on)）、低漏电流（IDSS）和高效率。 额定电流为150 A， 且针对快速开关应用优化了低栅极电阻（RG）
品牌
Nexperia
封装
SOT-1210
库存
10
货期
现货
PSMN1R5-25MLHX参数
| 封装 | SOT-1210 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
PSMN1R5-25MLHX概述
逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET， 采用LFPAK33封装。 NextPowerS3技术可实现低导通电阻（RDS(on)）、低漏电流（IDSS）和高效率。 额定电流为150 A， 且针对快速开关应用优化了低栅极电阻（RG）
PSMN1R5-25MLHX特性
暂无产品特性。
PSMN1R5-25MLHX应用领域
暂无应用领域。