PSMN1R2-30YLD
IC
LFPAK-56
可供量大可议
PSMN1R2-30YLD
采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。 采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当， 但不会出现高漏电流的问题。 NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
品牌
Nexperia
封装
LFPAK-56
库存
8,867
货期
现货
PSMN1R2-30YLD参数
| 封装 | LFPAK-56 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8867 |
PSMN1R2-30YLD概述
采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。 采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合， 可实现高效率、低尖峰性能， 通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当， 但不会出现高漏电流的问题。 NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
PSMN1R2-30YLD特性
暂无产品特性。
PSMN1R2-30YLD应用领域
暂无应用领域。