PSMN034-100PS-HXY
IC
TO-220
可供量大可议
PSMN034-100PS-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够满足大电流快速切换的应用需求, 确保系统在紧凑空间内实现稳定的功率传输与热管理性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
23
货期
现货
PSMN034-100PS-HXY参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
PSMN034-100PS-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够满足大电流快速切换的应用需求, 确保系统在紧凑空间内实现稳定的功率传输与热管理性能。
PSMN034-100PS-HXY特性
暂无产品特性。
PSMN034-100PS-HXY应用领域
暂无应用领域。
