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PSMN034-100PS-HXY
IC

TO-220

可供量大可议

PSMN034-100PS-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够满足大电流快速切换的应用需求, 确保系统在紧凑空间内实现稳定的功率传输与热管理性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

23

货期

现货

PSMN034-100PS-HXY参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

PSMN034-100PS-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够满足大电流快速切换的应用需求, 确保系统在紧凑空间内实现稳定的功率传输与热管理性能。

PSMN034-100PS-HXY特性

暂无产品特性。

PSMN034-100PS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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