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PSMN013-100BS-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

PSMN013-100BS-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 具有较高的漏极电流能力和低导通电阻, 适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。 TO263; N—Channel沟道, 100V; 100A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

Brand

VBsemi

Package

TO-263(D2PAK)

Stock

33

货期

现货

PSMN013-100BS-VBParameters

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存33

PSMN013-100BS-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 具有较高的漏极电流能力和低导通电阻, 适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。 TO263; N—Channel沟道, 100V; 100A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

PSMN013-100BS-VB特性

暂无产品特性。

PSMN013-100BS-VB应用领域

暂无应用领域。

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