PSMN012-60HLX
IC
SOD-323
可供量大可议
PSMN012-60HLX
双逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 LFPAK56D（双 Power-SO8）封装， 使用特定应用（ASFET）重复雪崩硅技术。 N 沟道 MOSFET， 采用增强型 TrenchMOS 技术以适应重复雪崩， 适用于重复雪崩应用。
品牌
Nexperia
封装
SOD-323
库存
25
货期
现货
PSMN012-60HLX参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
PSMN012-60HLX概述
双逻辑电平 N 沟道 MOSFET， 采用 LFPAK56D（双 Power-SO8）封装， 使用特定应用（ASFET）重复雪崩硅技术。 N 沟道 MOSFET， 采用增强型 TrenchMOS 技术以适应重复雪崩， 适用于重复雪崩应用。
PSMN012-60HLX特性
暂无产品特性。
PSMN012-60HLX应用领域
暂无应用领域。