PSMN009-100B-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
PSMN009-100B-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道； 100V； 100A； RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
6
货期
现货
PSMN009-100B-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
PSMN009-100B-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道； 100V； 100A； RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
PSMN009-100B-VB特性
暂无产品特性。
PSMN009-100B-VB应用领域
暂无应用领域。