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PSC1065KQ-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

PSC1065KQ-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为60μA, 在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 其特性适合用于高效率电源转换系统, 在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

PSC1065KQ-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

PSC1065KQ-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为60μA, 在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 其特性适合用于高效率电源转换系统, 在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。

PSC1065KQ-HXY特性

暂无产品特性。

PSC1065KQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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