PSC1065KQ-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
PSC1065KQ-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为60μA, 在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 其特性适合用于高效率电源转换系统, 在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
PSC1065KQ-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
PSC1065KQ-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为60μA, 在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 其特性适合用于高效率电源转换系统, 在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。
PSC1065KQ-HXY特性
暂无产品特性。
PSC1065KQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
