PSC1065H-QJ-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构， 具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）， 正向压降（VF）典型值为1.3V， 反向漏电流（IR）仅为50μA， 表现出低导通损耗与优异的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM）， 适用于高频、高效率的电源转换系统， 在提升能效的同时有助于减小散热设计负担。