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PSC0665KQ-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

PSC0665KQ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)为32A。 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的动态特性, 适用于对体积与效率有较高要求的电源系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备中的整流与续流功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

PSC0665KQ-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

PSC0665KQ-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)为32A。 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的动态特性, 适用于对体积与效率有较高要求的电源系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备中的整流与续流功能。

PSC0665KQ-HXY特性

暂无产品特性。

PSC0665KQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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