PSC0665KQ-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
PSC0665KQ-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)为32A。 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的动态特性, 适用于对体积与效率有较高要求的电源系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备中的整流与续流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
PSC0665KQ-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
PSC0665KQ-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)为32A。 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的动态特性, 适用于对体积与效率有较高要求的电源系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备中的整流与续流功能。
PSC0665KQ-HXY特性
暂无产品特性。
PSC0665KQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
