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PSC0665HJ-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

PSC0665HJ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 体现出优异的导通与阻断性能。 其非重复浪涌正向电流能力达48A, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合, 如高频开关电源、可再生能源发电系统及紧凑型功率模块, 在提升系统响应速度与能效的同时, 保持稳定的电气特性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

PSC0665HJ-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

PSC0665HJ-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 体现出优异的导通与阻断性能。 其非重复浪涌正向电流能力达48A, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合, 如高频开关电源、可再生能源发电系统及紧凑型功率模块, 在提升系统响应速度与能效的同时, 保持稳定的电气特性。

PSC0665HJ-HXY特性

暂无产品特性。

PSC0665HJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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