PSC0665HJ-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
PSC0665HJ-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 体现出优异的导通与阻断性能。 其非重复浪涌正向电流能力达48A, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合, 如高频开关电源、可再生能源发电系统及紧凑型功率模块, 在提升系统响应速度与能效的同时, 保持稳定的电气特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
PSC0665HJ-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
PSC0665HJ-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 体现出优异的导通与阻断性能。 其非重复浪涌正向电流能力达48A, 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合, 如高频开关电源、可再生能源发电系统及紧凑型功率模块, 在提升系统响应速度与能效的同时, 保持稳定的电气特性。
PSC0665HJ-HXY特性
暂无产品特性。
PSC0665HJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
