PR1006G-T
IC
DO-41
可供量大可议
PR1006G-T
特性：玻璃钝化芯片结构。 快速开关， 高效能。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向漏电流。 无铅表面处理； 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-41
库存
465
货期
现货
PR1006G-T参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 465 |
PR1006G-T概述
特性：玻璃钝化芯片结构。 快速开关， 高效能。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向漏电流。 无铅表面处理； 符合RoHS标准
PR1006G-T特性
暂无产品特性。
PR1006G-T应用领域
暂无应用领域。