PPMT30V3
自营可供
IC
SOT-23
PPMT30V3
增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
品牌
Prisemi
封装
SOT-23
交期
现货
批次
—
PPMT30V3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.04W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | PPMT30V3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2930 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V； 75mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 460pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
| 商品名称 | P沟道MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
PPMT30V3概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。