PPMT20V4E
IC
SOT-23
可供量大可议
PPMT20V4E
增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
品牌
Prisemi
封装
SOT-23
库存
2,875
货期
现货
PPMT20V4E参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | PPMT20V4E |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2875 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
| 商品名称 | P沟道MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
PPMT20V4E概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。
PPMT20V4E特性
- RDS(ON) ≤15mΩ@VGS=10V
- RDS(ON) ≤20mΩ @VGS=4.5V
- 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
PPMT20V4E应用领域
- 台式计算机的电源管理-视频图形加速卡-电池供电系统-DC/DC转换器