PPM723T201E0
自营可供
IC
SOT-723
PPM723T201E0
场效应管(MOSFET) PPM723T201E0
品牌
Prisemi
封装
SOT-723
交期
现货
批次
两年内
PPM723T201E0参数
| 封装 | SOT-723 |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 输入电容(Ciss) | 110pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | PPM723T201E0 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
| 商品名称 | P沟道MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
PPM723T201E0概述
场效应管(MOSFET) PPM723T201E0
PPM723T201E0特性
- 4.0A、650V， 在VGS = 10V时， RDS(导通) = 3.0Ω
- 低栅极电荷（典型值15nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
PPM723T201E0应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品电源管理的高效开关