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PNU65020EPX-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

PNU65020EPX-HXY

该碳化硅二极管额定正向电流为2A, 反向重复耐压达650V, 适用于中高电压功率电路。 其正向导通压降为1.3V, 在同类器件中具有较低的导通损耗, 有助于提高能量转换效率。 反向漏电流典型值为2μA, 表现出良好的关断特性和高温稳定性。 基于碳化硅材料的优异性能, 该器件具备快速恢复能力与较小的结电容, 适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中, 可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

275

货期

现货

PNU65020EPX-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类碳化硅二极管
库存275

PNU65020EPX-HXY概述

该碳化硅二极管额定正向电流为2A, 反向重复耐压达650V, 适用于中高电压功率电路。 其正向导通压降为1.3V, 在同类器件中具有较低的导通损耗, 有助于提高能量转换效率。 反向漏电流典型值为2μA, 表现出良好的关断特性和高温稳定性。 基于碳化硅材料的优异性能, 该器件具备快速恢复能力与较小的结电容, 适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中, 可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

PNU65020EPX-HXY特性

暂无产品特性。

PNU65020EPX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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