PNU65020EPX-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
PNU65020EPX-HXY
该碳化硅二极管额定正向电流为2A, 反向重复耐压达650V, 适用于中高电压功率电路。 其正向导通压降为1.3V, 在同类器件中具有较低的导通损耗, 有助于提高能量转换效率。 反向漏电流典型值为2μA, 表现出良好的关断特性和高温稳定性。 基于碳化硅材料的优异性能, 该器件具备快速恢复能力与较小的结电容, 适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中, 可支持高频运行并降低散热设计复杂度。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
275
货期
现货
PNU65020EPX-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 275 |
PNU65020EPX-HXY概述
该碳化硅二极管额定正向电流为2A, 反向重复耐压达650V, 适用于中高电压功率电路。 其正向导通压降为1.3V, 在同类器件中具有较低的导通损耗, 有助于提高能量转换效率。 反向漏电流典型值为2μA, 表现出良好的关断特性和高温稳定性。 基于碳化硅材料的优异性能, 该器件具备快速恢复能力与较小的结电容, 适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中, 可支持高频运行并降低散热设计复杂度。
PNU65020EPX-HXY特性
暂无产品特性。
PNU65020EPX-HXY应用领域
暂无应用领域。
