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PNT723T503E0-2
IC

SOT-723

可供量大可议

PNT723T503E0-2

特性:该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂, 符合RoHS标准。 集电极:3个。 封装:SOT-723。 发射极-基极击穿电压:11V。 高直流电流增益, 典型值380。 低饱和电压:80mV。 连续集电极电流:0.15A。 NPN开关晶体管

品牌

Prisemi

封装

SOT-723

库存

9,944

货期

现货

PNT723T503E0-2参数

封装SOT-723
品牌Prisemi(芯导)
批次26+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)50V
直流电流增益(hFE)250
集电极截止电流(Icbo)100nA
射基极击穿电压(Vebo)11V
分类三极管(BJT)
库存9,944
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)150mA
耗散功率(Pd)150mW
特征频率(fT)200MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))80mV
数量1个NPN

PNT723T503E0-2概述

特性:该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂, 符合RoHS标准。 集电极:3个。 封装:SOT-723。 发射极-基极击穿电压:11V。 高直流电流增益, 典型值380。 低饱和电压:80mV。 连续集电极电流:0.15A。 NPN开关晶体管

PNT723T503E0-2特性

暂无产品特性。

PNT723T503E0-2应用领域

暂无应用领域。

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