PNLS252012-R56M 560NH
IC
1008
可供量大可议
PNLS252012-R56M 560NH
特性：饱和电流大。 磁心金属化处理, 抗冲击耐疲劳。 闭合磁路设计减少漏磁通和电磁干扰。 直流电阻小、功耗小, 体积小、占用PCB空间小。 应用：智能手机。 机顶盒
品牌
DMBJ
封装
1008
库存
780
货期
现货
PNLS252012-R56M 560NH参数
| 封装 | 1008 |
|---|---|
| 品牌 | DMBJ(振宝佳) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 780 |
PNLS252012-R56M 560NH概述
特性：饱和电流大。 磁心金属化处理, 抗冲击耐疲劳。 闭合磁路设计减少漏磁通和电磁干扰。 直流电阻小、功耗小, 体积小、占用PCB空间小。 应用：智能手机。 机顶盒
PNLS252012-R56M 560NH特性
暂无产品特性。
PNLS252012-R56M 560NH应用领域
暂无应用领域。