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PNE650100EJ-QJ-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

PNE650100EJ-QJ-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 其低导通压降与优异的反向阻断能力, 使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中, 在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

22

货期

现货

PNE650100EJ-QJ-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

PNE650100EJ-QJ-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 其低导通压降与优异的反向阻断能力, 使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中, 在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。

PNE650100EJ-QJ-HXY特性

暂无产品特性。

PNE650100EJ-QJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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