PNE650100EJ-QJ-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
PNE650100EJ-QJ-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 其低导通压降与优异的反向阻断能力, 使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中, 在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
22
货期
现货
PNE650100EJ-QJ-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
PNE650100EJ-QJ-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 其低导通压降与优异的反向阻断能力, 使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中, 在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。
PNE650100EJ-QJ-HXY特性
暂无产品特性。
PNE650100EJ-QJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
