PN8680PSEC-R1

PN8680P集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET， 用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。 PN8680P为原边反馈工作模式， 可省略光耦和TL431。 内置高压启动电路， 可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。 在恒压模式， 采用多模式技术提高效率并消除音频噪声， 使得系统满足6级能效标准， 可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率； 在恒流模式， 输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了极为全面的智能保护功能， 包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。