PN8386FSEC-R1N

PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET， 用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。 PN8386F为原边反馈工作模式， 可省略光耦和TL431。 内置高压启动电路， 可实现芯片空载损耗小于50mW（230VAC）。