PMZB350UPE,315
自营可供
IC
X1-DFN1006-3
PMZB350UPE,315
场效应管(MOSFET) 360mW 20V 1A 1个P沟道
品牌
Nexperia
封装
X1-DFN1006-3
交期
现货
批次
25+
PMZB350UPE,315参数
| 封装 | X1-DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 输入电容(Ciss) | 127pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,698 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF |
| 类型 | P沟道 |
PMZB350UPE,315概述
场效应管(MOSFET) 360mW 20V 1A 1个P沟道