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PMZB350UPE, 315
IC

X1-DFN1006-3

可供量大可议

PMZB350UPE, 315

场效应管(MOSFET) 360mW 20V 1A 1个P沟道

品牌

Nexperia

封装

X1-DFN1006-3

库存

17,700

货期

现货

PMZB350UPE, 315参数

封装X1-DFN1006-3
品牌Nexperia(安世)
批次25+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))450mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))950mV
输入电容(Ciss)127pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)34pF
分类场效应管(MOSFET)
库存17,700
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)360mW
栅极电荷量(Qg)1.3nC@4.5V
反向传输电容(Crss)25pF
类型P沟道

PMZB350UPE, 315概述

场效应管(MOSFET) 360mW 20V 1A 1个P沟道

PMZB350UPE, 315特性

暂无产品特性。

PMZB350UPE, 315应用领域

暂无应用领域。

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