PMZB290UNE2YL
自营可供
IC
SOT-883-3
PMZB290UNE2YL
场效应管(MOSFET) PMZB290UNE2YL
品牌
Nexperia
封装
SOT-883-3
交期
现货
批次
25+
PMZB290UNE2YL参数
| 封装 | SOT-883-3 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 46pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 9.6pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18,401 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 7.7pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | PMZB290UNE2YL |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.332e-05 |
PMZB290UNE2YL概述
场效应管(MOSFET) PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 超薄封装, 厚度为0.37 mm
PMZB290UNE2YL应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路