PMV75UP-HXY

该P沟道场效应管额定漏源电压（VDSS）为20V， 连续漏极电流（ID）可达3A， 适用于低电压开关应用。 其导通电阻典型值为75mΩ， 在低电流负载条件下可有效控制导通损耗， 提升系统能效。 P沟道结构便于实现高边开关的栅极驱动， 简化外围电路设计。 常用于电池供电的便携式设备中， 如电源路径切换、负载开关控制、充电管理电路及直流输入的反向电压保护等场景， 适合对尺寸和功耗敏感的消费类电子产品与嵌入式应用。