PMV60ENEAR-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV60ENEAR-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V, 3A 耗散功率(Pd)：615mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
4,623
货期
现货
PMV60ENEAR-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4623 |
PMV60ENEAR-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V, 3A 耗散功率(Pd)：615mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V
PMV60ENEAR-JSM特性
暂无产品特性。
PMV60ENEAR-JSM应用领域
暂无应用领域。