PMV50UPEVL-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV50UPEVL-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻典型值48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护、负载切换及便携式电源管理电路。 其参数匹配低压直流系统需求, 可在有限空间内提供稳定的电流调节能力, 满足消费电子与通信设备中对功率器件的紧凑化设计标准。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,990
货期
现货
PMV50UPEVL-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2990 |
PMV50UPEVL-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻典型值48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护、负载切换及便携式电源管理电路。 其参数匹配低压直流系统需求, 可在有限空间内提供稳定的电流调节能力, 满足消费电子与通信设备中对功率器件的紧凑化设计标准。
PMV50UPEVL-HXY特性
暂无产品特性。
PMV50UPEVL-HXY应用领域
暂无应用领域。
