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PMV50UPEVL-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PMV50UPEVL-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻典型值48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护、负载切换及便携式电源管理电路。 其参数匹配低压直流系统需求, 可在有限空间内提供稳定的电流调节能力, 满足消费电子与通信设备中对功率器件的紧凑化设计标准。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,990

货期

现货

PMV50UPEVL-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存2990

PMV50UPEVL-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻典型值48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低导通损耗下实现高效开关控制, 适用于电池保护、负载切换及便携式电源管理电路。 其参数匹配低压直流系统需求, 可在有限空间内提供稳定的电流调节能力, 满足消费电子与通信设备中对功率器件的紧凑化设计标准。

PMV50UPEVL-HXY特性

暂无产品特性。

PMV50UPEVL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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