PMV50UPE-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV50UPE-HXY
该P沟道场效应管额定漏极电流4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低压系统中提供可靠的反向极性保护与负载开关功能, 适用于平板电脑电源管理、便携式设备电池控制及内部电路切换。 其参数组合有助于优化导通损耗并简化驱动设计, 满足消费电子产品对紧凑布局与稳定运行的技术需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
PMV50UPE-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
PMV50UPE-HXY概述
该P沟道场效应管额定漏极电流4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低压系统中提供可靠的反向极性保护与负载开关功能, 适用于平板电脑电源管理、便携式设备电池控制及内部电路切换。 其参数组合有助于优化导通损耗并简化驱动设计, 满足消费电子产品对紧凑布局与稳定运行的技术需求。
PMV50UPE-HXY特性
暂无产品特性。
PMV50UPE-HXY应用领域
暂无应用领域。
