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PMV50UPE-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PMV50UPE-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低压系统中提供可靠的反向极性保护与负载开关功能, 适用于平板电脑电源管理、便携式设备电池控制及内部电路切换。 其参数组合有助于优化导通损耗并简化驱动设计, 满足消费电子产品对紧凑布局与稳定运行的技术需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

3,000

货期

现货

PMV50UPE-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3000

PMV50UPE-HXY概述

该P沟道场效应管额定漏极电流4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48mΩ, 栅源驱动电压12V。 器件在低压系统中提供可靠的反向极性保护与负载开关功能, 适用于平板电脑电源管理、便携式设备电池控制及内部电路切换。 其参数组合有助于优化导通损耗并简化驱动设计, 满足消费电子产品对紧凑布局与稳定运行的技术需求。

PMV50UPE-HXY特性

暂无产品特性。

PMV50UPE-HXY应用领域

暂无应用领域。

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