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PMV48XP, 215
IC

SOT-23

可供量大可议

PMV48XP, 215

P沟道, -20V, -3.5A, 55mΩ@-4.5V

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

库存

15

货期

现货

PMV48XP, 215参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)510mW
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
反向传输电容(Crss)90pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±12V
商品型号PMV48XP, 215
单位个
商品重量2.4e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存15
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))55mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1.25V
输入电容(Ciss)1nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)130pF
商品名称1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

PMV48XP, 215概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET), 封装为小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

PMV48XP, 215特性

  • 逻辑电平兼容
  • 极快速开关
  • 沟槽MOSFET技术

PMV48XP, 215应用领域

  • 高端负载开关
  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 开关电路

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