PMV45EN2R-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV45EN2R-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V, 4.1A 耗散功率(Pd)：1.115W 阈值电压(Vgs(th))：2V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,980
货期
现货
PMV45EN2R-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
PMV45EN2R-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V, 4.1A 耗散功率(Pd)：1.115W 阈值电压(Vgs(th))：2V
PMV45EN2R-JSM特性
暂无产品特性。
PMV45EN2R-JSM应用领域
暂无应用领域。