PMV40UN2R-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV40UN2R-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.7A 导通电阻(RDS(on))：44mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th))：900mV@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,275
货期
现货
PMV40UN2R-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2275 |
PMV40UN2R-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.7A 导通电阻(RDS(on))：44mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th))：900mV@250uA
PMV40UN2R-JSM特性
暂无产品特性。
PMV40UN2R-JSM应用领域
暂无应用领域。