PMV40UN2R-HXY

PMV40UN2R N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装， 专为优化电路布局而设计。 器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS)， 具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力， 适用于多种中高功率应用场合。 其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on))， 显著降低功耗， 提升能效表现。 这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。