PMV33UPE-HXY

本P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源耐压（VDSS）， 可持续通过5A漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至30毫欧， 表现出优异的导通性能与较低的功率损耗。 器件适用于各类中低功率电源管理系统， 如DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路及便携式电子设备中的功率控制单元， 可满足高效能、小型化电路设计需求， 提供稳定可靠的开关与导通表现。