PMV30XPAR-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻典型值30mΩ。 器件在低电压应用中表现出较低的导通损耗， 适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载开关设计。 其紧凑的电气特性有助于优化电路板空间布局， 满足消费类电子产品对高效能与小型化的需求。