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PMV30UN2R
自营可供
IC

SOT-23

PMV30UN2R

场效应管(MOSFET) 490mW; 5W 20V 4.2A 1个N沟道

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

交期

现货

批次

两年内

PMV30UN2R参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))32mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))900mV
输入电容(Ciss)655pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)70pF
分类场效应管(MOSFET)
库存6,145
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)1W
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
反向传输电容(Crss)62pF
类型N沟道

PMV30UN2R概述

场效应管(MOSFET) 490mW; 5W 20V 4.2A 1个N沟道

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