PMV28XPEAR-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV28XPEAR-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻仅30mΩ。 器件在低电压环境下具备优异的导通特性, 能有效降低回路功耗与发热。 适用于便携式电子设备、电池管理模块及负载开关电路, 满足对空间布局紧凑及电源效率有严格要求的消费类应用场景, 确保系统稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
90
货期
现货
PMV28XPEAR-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
PMV28XPEAR-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻仅30mΩ。 器件在低电压环境下具备优异的导通特性, 能有效降低回路功耗与发热。 适用于便携式电子设备、电池管理模块及负载开关电路, 满足对空间布局紧凑及电源效率有严格要求的消费类应用场景, 确保系统稳定运行。
PMV28XPEAR-HXY特性
暂无产品特性。
PMV28XPEAR-HXY应用领域
暂无应用领域。
