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PMV28XPEAR-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PMV28XPEAR-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻仅30mΩ。 器件在低电压环境下具备优异的导通特性, 能有效降低回路功耗与发热。 适用于便携式电子设备、电池管理模块及负载开关电路, 满足对空间布局紧凑及电源效率有严格要求的消费类应用场景, 确保系统稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

90

货期

现货

PMV28XPEAR-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存90

PMV28XPEAR-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻仅30mΩ。 器件在低电压环境下具备优异的导通特性, 能有效降低回路功耗与发热。 适用于便携式电子设备、电池管理模块及负载开关电路, 满足对空间布局紧凑及电源效率有严格要求的消费类应用场景, 确保系统稳定运行。

PMV28XPEAR-HXY特性

暂无产品特性。

PMV28XPEAR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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