PMV28UNEAR-HXY

本产品为N沟道场效应管（MOSFET）， 连续漏极电流ID为6A， 漏源击穿电压VDSS为20V， 适用于中低压功率控制应用。 导通电阻RDON为22mΩ， 在保证稳定性能的同时有效降低导通损耗。 器件具备良好的热稳定性和快速响应特性， 适合用于小型电源模块、开关电路、电池供电设备及各类消费类电子产品的功率管理与转换电路中。