PMV28ENEAR-HXY

该款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和4A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至29毫欧， 可有效降低导通损耗并提升系统效率。 采用先进的工艺技术， 具备良好的热稳定性和高频响应特性， 适用于各类电源管理、开关电路以及小型电子设备中的功率控制场景， 能够满足高效、低功耗设计的需求。