PMV27UPEAR-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV27UPEAR-HXY
该P沟道场效应管额定漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻为30mΩ。 器件在低电压工况下具备较低的导通损耗, 适用于便携式设备电源管理、电池组保护及负载开关电路。 其电气参数设计有助于降低系统发热, 提升能效, 适合应用于对空间布局与功耗控制有严格要求的消费类电子及手持终端产品中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
85
货期
现货
PMV27UPEAR-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
PMV27UPEAR-HXY概述
该P沟道场效应管额定漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻为30mΩ。 器件在低电压工况下具备较低的导通损耗, 适用于便携式设备电源管理、电池组保护及负载开关电路。 其电气参数设计有助于降低系统发热, 提升能效, 适合应用于对空间布局与功耗控制有严格要求的消费类电子及手持终端产品中。
PMV27UPEAR-HXY特性
暂无产品特性。
PMV27UPEAR-HXY应用领域
暂无应用领域。
