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PMV27UPEAR-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PMV27UPEAR-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻为30mΩ。 器件在低电压工况下具备较低的导通损耗, 适用于便携式设备电源管理、电池组保护及负载开关电路。 其电气参数设计有助于降低系统发热, 提升能效, 适合应用于对空间布局与功耗控制有严格要求的消费类电子及手持终端产品中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

85

货期

现货

PMV27UPEAR-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存85

PMV27UPEAR-HXY概述

该P沟道场效应管额定漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻为30mΩ。 器件在低电压工况下具备较低的导通损耗, 适用于便携式设备电源管理、电池组保护及负载开关电路。 其电气参数设计有助于降低系统发热, 提升能效, 适合应用于对空间布局与功耗控制有严格要求的消费类电子及手持终端产品中。

PMV27UPEAR-HXY特性

暂无产品特性。

PMV27UPEAR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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