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PMV20XNEA
IC

SOT-23

可供量大可议

PMV20XNEA

PMV20XNEA采用先进的沟槽技术, 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 且能够在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。

品牌

Leiditech

封装

SOT-23

库存

200

货期

现货

PMV20XNEA参数

封装SOT-23
品牌Leiditech(雷卯电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存200

PMV20XNEA概述

PMV20XNEA采用先进的沟槽技术, 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 且能够在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。

PMV20XNEA特性

暂无产品特性。

PMV20XNEA应用领域

暂无应用领域。

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