PMV20ENR-VB
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
PMV20ENR-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 30V； 6.5A； RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.2V； 是一款单体N型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电源电子模块和领域。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3L
库存
20
货期
现货
PMV20ENR-VB参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PMV20ENR-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 30V； 6.5A； RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.2V； 是一款单体N型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电源电子模块和领域。
PMV20ENR-VB特性
暂无产品特性。
PMV20ENR-VB应用领域
暂无应用领域。