PMV20ENR-JSM
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
PMV20ENR-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：7.6A 导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V, 6A 耗散功率(Pd)：1.2W
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23-3L
库存
2,925
货期
现货
PMV20ENR-JSM参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2925 |
PMV20ENR-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：7.6A 导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V, 6A 耗散功率(Pd)：1.2W
PMV20ENR-JSM特性
暂无产品特性。
PMV20ENR-JSM应用领域
暂无应用领域。