PMV100XPEA215-HXY

本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件， 适用于低电压功率控制场合。 其主要参数包括：漏极电流ID为3A， 漏源电压VDSS为20V， 导通电阻RDON为100mΩ， 适合用于电池供电设备及小型电源管理系统。 该器件具备较好的开关响应速度和热稳定性， 可广泛应用于便携式电子产品、LED驱动电路、负载开关以及各类低功耗控制模块中。 其封装形式灵活， 便于实现紧凑化电路设计与良好散热效果。