PMV100EPAR-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PMV100EPAR-JSM
数量：1个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.2A 导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V 耗散功率(Pd)：8.3W 阈值电压(Vgs(th))：3.2V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,855
货期
现货
PMV100EPAR-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2855 |
PMV100EPAR-JSM概述
数量：1个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.2A 导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V 耗散功率(Pd)：8.3W 阈值电压(Vgs(th))：3.2V@250uA
PMV100EPAR-JSM特性
暂无产品特性。
PMV100EPAR-JSM应用领域
暂无应用领域。