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PMR400UN-VB
IC

SC75-3

可供量大可议

PMR400UN-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N结构设计, 采用Trench技术, 适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。 SC75-3; N—Channel沟道, 20V; 0.85A; RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1V

品牌

VBsemi

封装

SC75-3

库存

50

货期

现货

PMR400UN-VB参数

封装SC75-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存50

PMR400UN-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N结构设计, 采用Trench技术, 适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。 SC75-3; N—Channel沟道, 20V; 0.85A; RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1V

PMR400UN-VB特性

暂无产品特性。

PMR400UN-VB应用领域

暂无应用领域。

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