PMH600UNEH
自营可供
IC
SOT-8001-3
PMH600UNEH
场效应管(MOSFET) PMH600UNEH
品牌
Nexperia
封装
SOT-8001-3
交期
现货
批次
两年内
PMH600UNEH参数
| 封装 | SOT-8001-3 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 输入电容(Ciss) | 21.3pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19,988 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 310pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF |
PMH600UNEH概述
场效应管(MOSFET) PMH600UNEH