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PMGD280UN-VB
IC

SC70-6

可供量大可议

PMGD280UN-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型+N型场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 适用于多种应用场景。 SC70; 2个N—Channel沟道, 20V; 2.6A; RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~2V

品牌

VBsemi

封装

SC70-6

库存

40

货期

现货

PMGD280UN-VB参数

封装SC70-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

PMGD280UN-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型+N型场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 适用于多种应用场景。 SC70; 2个N—Channel沟道, 20V; 2.6A; RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~2V

PMGD280UN-VB特性

暂无产品特性。

PMGD280UN-VB应用领域

暂无应用领域。

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